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J-GLOBAL ID：200903080814135771

TFTおよびその製法

Inventor： 橋口 隆史
Applicant, Patent owner： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072829
Publication number (International publication number)：1999274504
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 バックチャネル部の不純物を除去して、TFT特性のオフ電流を低減させたTFTをうる。【解決手段】 本発明のTFTは、絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜、ソースおよびドレイン電極の順に設けられたチャネルエッチ型アモルファスシリコンTFTにおいて、ソース電極とドレイン電極間のバックチャネル部のi層アモルファスシリコンに、H2またはHeが存在する雰囲気ガスでプラズマ放電を行い表面処理をして、バックチャネル部の表面に付着している不純物が除去されてなるものである。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜、ソースおよびドレイン電極の順に設けられたチャネルエッチ型アモルファスシリコンTFTにおいて、ソース電極とドレイン電極間のバックチャネル部のi層アモルファスシリコンに、H2またはHeが存在する雰囲気ガスでプラズマ放電を行い表面処理をして、バックチャネル部の表面に付着している不純物が除去されてなることを特徴とするTFT。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 627 Z