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J-GLOBAL ID:200903080816778548

スパッタリングターゲット

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上田 章三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995091460
Publication number (International publication number):1996260135
Application date: Mar. 24, 1995
Publication date: Oct. 08, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高い導電性を有しかつ可視領域の全域において均一で高い光透過率と光反射率を有する銀系薄膜成膜用のスパッタリングターゲットを提供する。【構成】 このスパッタリングターゲットは、0.3atom%の銅と約99.7atom%の銀とで構成される。そして、このターゲットを用いて成膜された接着性薄膜11と銀系薄膜12及び保護膜13から成る多層薄膜1は、その銀系薄膜12が銅を含有しているため可視領域の短波長側の光透過率が増大している。従って、この多層薄膜1は、可視領域の全域に亘ってその光透過率が均一化されている。
Claim (excerpt):
0.1atom%(原子%)以上の銅を少なくとも含有する銀により構成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3):
C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  G02F 1/1343
FI (3):
C23C 14/34 A ,  C23C 14/14 D ,  G02F 1/1343
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 透明導電性フィルム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-252985   Applicant:三井東圧化学株式会社
  • 特開昭57-174240

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