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J-GLOBAL ID：200903080852587988

レジストパターンの形成方法

Inventor： 葛 葉 昇
Applicant, Patent owner： アイバイツ株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993150315
Publication number (International publication number)：1995140670
Application date： Jun. 22, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とを有する化合物と、光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物とからなるパターン形成材料を被処理基板上に塗布した後に乾燥し、次いで、ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とが反応しうる温度に加熱して架橋型レジスト膜を作り、該レジスト膜に光または電離放射線をパターン状に照射した後に、アルカリ性水溶液で現像することを特徴としている。【効果】 本発明によれば、高コントラスト・高感度でポジ型レジストを形成することが可能になる。

Claim (excerpt)：

ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とを有する化合物と、光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物とからなるパターン形成材料を被処理基板上に塗布した後に乾燥し、次いで、ビニルオキシカルボニル基と、該ビニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とが反応しうる温度に加熱して架橋型レジスト膜を作り、該レジスト膜に光または電離放射線をパターン状に照射した後に、アルカリ性水溶液で現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/30 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 E