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J-GLOBAL ID：200903080854127364

窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法

Inventor： 上田 吉裕 ,  津田 有三 ,  湯浅 貴之 ,  小河 淳 ,  荒木 正浩 ,  高倉 輝芳
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000000072
Publication number (International publication number)：2001192300
Application date： Jan. 04, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 残留応力が低く、結晶欠陥が少ない窒化物系化合物半導体基板を提供する。【解決手段】 サファイア等の結晶基材101上に、不純物を添加した窒化物系化合物半導体からなる下地層102を300〜800°Cの温度において堆積させる。下地層102上に、上記温度より高い温度において窒化物系化合物半導体の結晶103を成長させる。下地層をエッチングにより除去して、窒化物系化合物半導体の結晶を基板105として分離する。分離した基板105を、窒素を含む雰囲気下で熱処理し、その残留応力を低減させる。

Claim (excerpt)：

六方晶系窒化物結晶からなる半導体基板であって、{0001}結晶面からなる表面、および{000-1}結晶面からなる裏面を有し、周期律表における第2族元素、第4族元素および第6族元素よりなる群から選ばれた1種または2種以上の元素を不純物として含み、前記不純物が1種の元素からなる場合、当該元素の濃度は1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物が2種以上の元素からなる場合、それらを合計した濃度が1014cm-3以上1022cm-3以下であり、前記不純物の濃度は、前記表面側より前記裏面側において高く、かつ内部に残留する応力が0.01Pa以下であることを特徴とする、窒化物系化合物半導体基板。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 X ,  H01L 33/00 C

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF03 ,  4G077FE02 ,  4G077FG05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F052DA04 ,  5F052DB06 ,  5F052EA11 ,  5F052GC06 ,  5F052JA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-052573   Applicant：日亜化学工業株式会社
• GaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242967   Applicant：三菱電線工業株式会社