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J-GLOBAL ID：200903080854979573

薄膜形成方法

Inventor： 町田 克之 ,  久良木 億 ,  秋谷 秀夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997099111
Publication number (International publication number)：1998032198
Application date： Apr. 16, 1997
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置を形成するウエハの大口径化に対応して、低コストで薄膜を形成し、加えて、平坦化ができるようにする。【解決手段】 表面にあらかじめ絶縁膜4(貼り合わせ薄膜)が形成されたシートフィルム(基材)5を用意する。そして、半導体基板1を加熱手段を有する試料台6上に固定する。次いで、絶縁膜4が形成された面が半導体基板1表面に対向するようにして、シートフィルム5を半導体基板1上に配置する。そして、シートフィルム5裏面より、おもりを置くなどにより加重をかけてシートフィルム5の絶縁膜4を絶縁膜3表面に接着させる。

Claim (excerpt)：

凹凸を有する半導体基板に高密度プラズマを用いた化学気相成長法により堆積薄膜を形成する第1の工程と、貼り合わせ薄膜が形成された基材と前記半導体基板とを、前記堆積薄膜と前記貼り合わせ薄膜とが向かい合うように貼り合わせる第2の工程と、引き続いて前記半導体基板を第1の温度に加熱して前記貼り合わせ薄膜を前記堆積薄膜上に形成する第3の工程と、前記基材を前記貼り合わせ薄膜より剥離する第4の工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

FI (2)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-182138
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042772   Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス