半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998052460
Publication number (International publication number)：1999251259
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】レジストマスクを形成しなくても、半導体層に不純物を選択的に導入することのできる半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】オフセットゲート構造のTFT2、3を製造する際には、シリコン膜20、30の露出部分の所定領域のみに対して、PSG、BSGの液状前駆体をインクジェットヘッドHN、HPから吐出し、PSG膜7およびBSG膜8を形成する。アニール処理を行うと、PSG膜7およびBSG膜8からシリコン膜20、30に不純物イオンが拡散していくが、PSG膜7およびBSG膜8が形成されていなかった部分は、不純物が導入されずオフセット領域22、32となる。

Claim (excerpt)：

インクジェットヘッドから半導体層表面に向けてN型あるいはP型の不純物を含む液状物を吐出して不純物拡散源を前記半導体層表面の所定領域に形成した後、該不純物拡散源から不純物を前記半導体層中に拡散させることを特徴とする半導体層への不純物の導入方法。

IPC (4)：

H01L 21/228 , B41J 2/01 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/228 , B41J 3/04 101 , H01L 29/78 616 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-251503 Applicant：株式会社東芝

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