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J-GLOBAL ID：200903080880124403
密着型イメージセンサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993344933
Publication number (International publication number)：1995176713
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 透光性導電層のシールド効果を損なうことなしに、静電気が透光性導電層を介して放電することのないようにする。【構成】 透光性基板1上に透光窓3を有する遮光層2を形成し、その上に光電変換素子4を形成する。SiN膜等により光電変換素子4上に透光性保護層5aを形成する。耐摩耗層6となるガラス薄板上にITO膜等からなる透光性導電層7を形成し、これを透光・導電性接着剤5bにより、遮光層2、光電変換素子4の形成された透光性基板1上に接着する。このセンサデバイス部14をフレーム13上に接着し、その前後に原稿ガイド12を取り付ける。遮光層2および原稿ガイド12を接地するが、原稿ガイド12-透光性導電層7間は絶縁する。【効果】 透光性導電層7がインピーダンスを介して接地されることになるため、透光性導電層7を介しての放電は起こりにくくなる。
Claim (excerpt)：
透光性基板上に透光窓を有する遮光膜および光電変換素子が形成され、その上に透光性被覆層、光透過性導電層および耐摩耗層がこの順に積層されている密着型イメージセンサにおいて、前記光透過性導電層は抵抗および/または静電容量を介して接地されていることを特徴とする密着型イメージセンサ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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