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J-GLOBAL ID：200903080884714280

半導体光増幅器

Inventor： 鈴木 良治
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 大沢 國雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994329869
Publication number (International publication number)：1996162712
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 新規な窓構造を有する半導体光増幅器を提供する。【構成】 基板1上に形成されたメサ2と、エピタキシャル成長によりメサの段差形状を維持して形成された、下部クラッド層3、下部ガイド層4、活性層5、上部ガイド層6、上部クラッド層7、電極コンタクト層8のダブルヘテロ構造の半導体光増幅器において、基板上のメサによって生じたダブルヘテロ構造のずれにより、光導波層を形成する下部ガイド層4、活性層5、上部ガイド層6を進行する光の入出射方向にクラッド層7が位置することになり、光を透過する窓構造を形成する。図の左右端面は反射防止膜12が施された劈開面、10、11はn側電極とp側電極である。【効果】 基板上のメサ形状を維持して形成されたダブルヘテロ構造により容易に窓構造が実現でき、しかも良好な光増幅器の特性が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成したメサと、その上にメサの段差形状を維持してエピタキシャル成長により形成したダブルヘテロ構造により、光の入出力側の少なくとも一方の端面近傍の窓領域のダブルヘテロ構造が、窓領域以外の、活性領域を含む中央部領域のダブルヘテロ構造に比べ、基板側方向もしくは、その反対側方向にずれて形成されていることを特徴とする進行波型の半導体光増幅器。