有機EL素子の製造方法および有機EL素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石井陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997244766
Publication number (International publication number)：1998294176
Application date： Aug. 26, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】スパッタされた原子により素子構成膜へ物理的ダメージを与えることなく、膜物性の良好な電極を有し、薄膜表面の突起によるリーク電流の恐れもなく、陽電極とした場合にはアモルファス性が良好で、膜物性の良好な電極を有する有機EL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】成膜ガス圧力と基板ターゲット間距離の積が20〜65Pa・cmであるスパッタ法にて電極を成膜する有機EL素子の製造方法にて有機EL素子を得る。

Claim (excerpt)：

成膜ガス圧力と基板ターゲット間距離の積が20〜65Pa・cmであるスパッタ法にて電極を成膜する有機EL素子の製造方法。

IPC (4)：

H05B 33/10 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , H05B 33/26

FI (4)：

H05B 33/10 , C23C 14/08 D , C23C 14/34 R , H05B 33/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-142716 Applicant：三洋電機株式会社

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