Pat

J-GLOBAL ID：200903080896623434

半導体薄膜の製造方法

Inventor： 奥村 展
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998315192
Publication number (International publication number)：2000150377
Application date： Nov. 05, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低コストで一方向成長多結晶半導体薄膜あるいは単結晶半導体薄膜などの高品質の半導体薄膜を得ることが可能な半導体薄膜の製造方法を提供する事を目的とする。【解決手段】 少なくとも一部にくびれ部を有する島状に形成された非単結晶半導体薄膜に、パルスレーザビームを走査して前記非単結晶半導体薄膜上に照射する半導体薄膜の製造方法であって、前記くびれ部の尖端角が40〜80度であり、前記ビームの走査方向のビームプロファイルが、多結晶半導体薄膜の微結晶化しきい値以上の領域を有し、前記走査の進行方向に対してビーム後半部の微結晶化しきい値でのエネルギー密度勾配の絶対値が20〜2000J/cm3であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部にくびれ部を有する島状に形成された非単結晶半導体薄膜に、パルスレーザビームを走査して前記非単結晶半導体薄膜上に照射する半導体薄膜の製造方法であって、前記くびれ部の尖端角が40〜80度であり、前記ビームの走査方向のビームプロファイルが、多結晶半導体薄膜の微結晶化しきい値以上の領域を有し、前記走査の進行方向に対してビーム後半部の微結晶化しきい値でのエネルギー密度勾配の絶対値が20〜2000J/cm3であることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (44)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BB03 ,  4G077BC60 ,  4G077DB04 ,  4G077DB16 ,  4G077ED06 ,  4G077FE16 ,  4G077FE19 ,  4G077HA01 ,  4G077TA04 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BA15 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA02 ,  5F052FA03 ,  5F052GB07 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG23 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35