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J-GLOBAL ID:200903080922280346

形状分解システム及びその方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 頓宮 孝一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992180424
Publication number (International publication number):1993198485
Application date: Jun. 15, 1992
Publication date: Aug. 06, 1993
Summary:
【要約】【目的】電子ビームリソグラフイ装置により放射線感応層を露出させることにより半導体チツプ上に形状を形成するシステム及び方法を提案する。【構成】設計形状はコンピユータ後処理プログラムにより単一の処理工程で矩形に変換される。後処理プログラムは矩形をエツジに変換し、当該エツジを頂部から底部及び左側から右側に分類することによつて設計形状を処理する。頂部エツジ及び側部エツジのチエーンは補充をトリガする底部エツジに出会うまで、分類されたエツジから作られる。補充がトリガされると、次の底部エツジが検査されて補充中又は将来の補充中に不必要なスライバが形成されないようにする。矩形が発生されてチエーンの下のエリアを補充し、現在又は将来の補充中に形成されるスライバの数を最小限にする。すべてのエツジが処理されて設計全体が矩形によつて補充されるまでエツジ処理は続けられる。最適な補充がなされるのでスライバは最小限となる。
Claim (excerpt):
複数のエツジを有する2次元形状を複数の補充多辺形に分解するシステムにおいて、側部及び頂部である上記エツジを一緒に接続し、上記接続されたエツジはエツジの頂部チエーンを形成する接続手段と、上記頂部チエーンに底部エツジを付加し、上記底部エツジは底部を画定し、上記頂部チエーンは補充領域の頂部を画定する付加手段と、上記補充領域を複数のエリアに区分し、上記エリアは補充エリア及び任意補充エリアからなり、上記任意補充エリアは好ましい任意補充エリア及び好ましくない任意補充エリアからなり、さらに上記好ましくない任意補充エリアは最小距離以下だけ底部エツジの上方に配置された任意補充エリアからなり、最小距離以下だけ底部エツジの上方に配置された任意補充エリアは最小の大きさよりも小さくなるようにする区分手段と、上記補充領域内に上記補充エリア及び上記好ましい補充エリアを補充する少なくとも1つの補充多辺形を発生する補充手段と、上記頂部チエーンから、補充されたエリアの境界をなす上記側部エツジ及び頂部エツジのすべての部分を切断して残つているすべての上記側部エツジ及び頂部エツジ部分が1つ又は2つ以上のエツジの頂部チエーンを形成する切断手段と、を具えることを特徴とする形状分解システム。
IPC (3):
H01L 21/027 ,  G03F 1/00 ,  G06F 15/60 370
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭61-171123

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