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J-GLOBAL ID：200903080922874068

絶縁膜のエッチング方法

Inventor： 隣 真一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992134507
Publication number (International publication number)：1993304217
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜に開設する逆円錐状をしたスルーホールを均一な開口径で形成することができる絶縁膜のエッチング方法を得る。【構成】 半導体基板1に形成した導体層2上に層間絶縁膜3を形成し、この上にシリコン窒化膜でエッチングマスク4を形成し、このエッチングマスク4を用いて絶縁膜3を選択エッチングするに際し、ECRエッチング装置を用いてエッチングの初期ではRF電力を小さくし、エッチングの終期ではRF電力を小さくするエッチングを行う。或いは、エッチングの初期ではマイクロ波電力を大きくし、エッチングの終期ではマイクロ波電力を大きくする。これにより、絶縁膜の膜厚の相違にかかわらず均一な開口径が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、かつこの上のエッチングマスクを所要パターンに形成する工程と、このエッチングマスクを用いて前記絶縁膜を選択エッチングする工程とを含み、この選択エッチングに際してはECRエッチング装置を用い、エッチングの初期ではRF電力を小さくし、エッチングの終期ではRF電力を小さくするエッチングを行うことを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  C04B 41/91 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-263638
  
• 特開平2-125427
  
• 特開平2-210825
  
• 特開平3-093224
  
• 特開平1-321634