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J-GLOBAL ID：200903080923850081

光応用基板処理装置

Inventor： 宇 井 明 生 ,  佐 藤 裕 輔 ,  額 田 秀 記 ,  近 江 隆 夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991243713
Publication number (International publication number)：1993082452
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光ビームに対して相対的に基板を回転させ光ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピング、クリーニング等の所定の処理をする場合に、基板上の照度を均一化し、あるいは光ビームと基板との相互作用を基板上で均一化する光応用基板処理装置を提供する。【構成】 光応用基板処理装置は、光ビーム(1)に対して相対的に基板(10)を回転させ光ビーム(1)を照射する。光ビーム(1)の強度を基板(10)の中央部に対応する部分から周辺部に対応する部分に向かって空間的または時間的に増加させる。また光ビーム(1)の照射位置に対する基板(10)の相対速度を基板(1)の中央部に対応する部分から周辺部に対応する部分に向かって減少させる。また、光ビーム(1)と基板(10)との相互作用が基板(1)の中央部に対応する部分から周辺部に対応する部分に向かって光学的に活性となるように光ビームが異なる波長または偏光を有する。

Claim (excerpt)：

光ビームに対して相対的に基板を回転させ光ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピング、クリーニング等の所定の処理をする光応用基板処理装置において、前記光ビームの強度を基板の中央部に対応する部分から周辺部に対応する部分に向かって空間的または時間的に増加させたことを特徴とする光応用基板処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-253821
  
• 特開平1-300450
  
• 特開平3-257170