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J-GLOBAL ID：200903080932266635

半導体発光装置

Inventor： 近藤 真人 ,  穴山 親志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992291039
Publication number (International publication number)：1994140714
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光装置、特に、可視光領域半導体レーザに関し、より簡便な方法で製造できる半導体発光装置を提供する。【構成】 2つのクラッド層に挟まれた発光活性領域層を有するダブルヘテロ構造をもち、このダブルヘテロ構造が、平坦な(100)主面上に部分的に(h11)A面(h≧1)斜面が形成された基板の上に形成され、この基板上に形成されたn型クラッド層に酸素とn型不純物であるSiが同時にドープされて、n型クラッド層の主面上の電子濃度が斜面上の電子濃度よりも低くされている。またこの場合、酸素とp型不純物であるZnまたはMgを同時にドープして、p型クラッド層の主面上の正孔濃度を斜面上の正孔濃度よりも低くし、また、斜面に(h11)B面(h≧1)が現れている基板を用い、酸素とp型不純物であるZnを同時にドープしてp型クラッド層の主面上の正孔濃度を斜面の正孔濃度より高くすることができる。

Claim (excerpt)：

第1および第2クラッド層と、該第1クラッド層と第2クラッド層に挟まれた発光活性領域層とを有するダブルヘテロ構造をもち、該ダブルヘテロ構造が、平坦な主面上に部分的に斜面が形成された基板の上に形成されており、該基板の主面方位が(100)面で、該斜面に(h11)A面(h≧1)が現れており、該基板上に形成されたn型クラッド層に酸素とn型不純物であるSiが同時にドープされて、該n型クラッド層の主面上の電子濃度が斜面上の電子濃度よりも低くなっていることを特徴とする半導体発光装置。