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J-GLOBAL ID：200903080938658071

量子ドットレーザ

Inventor： スティンツ,アンドレアス ,  バランギス,ペトロス,エヌ ,  マロイ,ケビン,ジェイ ,  レスター,ルーク,エフ ,  ニューウェル,ティモシー,シー ,  リー,フア
Applicant, Patent owner： サイエンス アンド テクノロジー コーポレーション @ ユーエヌエム
Agent (1)： 飯塚 義仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002558378
Publication number (International publication number)：2004528705
Application date： Oct. 05, 2001
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

自己組織化成長技術を使用して量子ドット層が形成される量子ドット活性領域が開示されている。一実施の形態において、所望の光学ゲインスペクトル特性を実現するために、ドット密度、ドットサイズ分布を制御する成長パラメータが選択される。一実施の形態において、拡大された波長範囲にわたる連続した光学ゲインスペクトルの形成を容易にするために、前記ドットの量子閉じこめ状態に対応したドットサイズ分布および光学遷移エネルギのシーケンスが選択される。他の実施の形態において、光学ゲインは、1260ナノメータ以上の波長について飽和した基底状態ゲインを高めるよう選択される。他の実施の形態において、量子ドットが、波長調整可能なレーザおよびモノリシックなマルチ波長レーザアレイを含む様々なレーザ装置の活性領域として使用される。

Claim (excerpt)：

半導体光導波路と、 量子ドットの集団を有する前記光導波路に対して光学的に結合されていて、注入された電流に応じて、少なくとも約1260ナノメータの発光波長で、約25cm-1を超える飽和基底状態モードゲインを提供するための量子ドット手段と、 前記量子ドット手段に注入される電流のキャリア閉じこめを実現するための量子井戸手段と、 を具備した半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S5/343 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22

FI (3)：

H01S5/343 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 610

F-Term (8)：

5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA75 ,  5F073AB06 ,  5F073BA02 ,  5F073CA15