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J-GLOBAL ID：200903080940167832

バリアメタルの形成方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992236387
Publication number (International publication number)：1994061181
Application date： Aug. 11, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、水素還元反応により自然酸化膜を除去した後、酸化性の雰囲気にさらすことなくCVD法を行うことにより、高いオーミックコンタクト性を得るとともにステップカバレッジ性の向上を図る。【構成】 チタンシリサイド膜22上に形成された自然酸化膜23を水素還元反応によって除去した後、酸化性雰囲気にさらすことなく、化学的気相成長法によって窒化チタン(TiN)膜25を成膜することによりバリアメタル26を形成する方法である。

Claim (excerpt)：

チタンシリサイド膜上に形成された自然酸化膜を水素還元反応によって除去した後、少なくとも前記チタンシリサイド膜を酸化性雰囲気にさらすことなく、化学的気相成長法によって前記チタンシリサイド膜上に窒化チタン膜を成膜することを特徴とするバリアメタルの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-044224
  
• 特開平2-032537
  
• 特開平3-104218
  
• 特開平3-286527