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J-GLOBAL ID：200903080957735141

半導体装置および半導体装置の製造方法および半導体装 置の製造装置

Inventor： 井上 恭典
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994100697
Publication number (International publication number)：1995283219
Application date： Apr. 13, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】低抵抗で信頼性の高い配線を備えた半導体装置を簡単かつ低コストに製造する。【構成】単結晶シリコン基板1上に配線層2が形成され、その上に層間絶縁膜3が形成されている。層間絶縁膜3にはコンタクトホール4が開口されている。層間絶縁膜3上に配線層5が形成されている。配線層5は、下からチタン膜6,窒化チタン膜7,タンタル膜8,銅薄膜9が順次積層されて形成されており、コンタクトホール4を介して基板1および配線層2とコンタクトしている。チタン膜6およびタンタル膜8はマグネトロンスパッタ法で形成され、窒化チタン膜7は反応性スパッタ法を併用したマグネトロンスパッタ法で形成される。銅薄膜9は、Ta膜8をカソードとする硫酸銅めっき法によって形成される。

Claim (excerpt)：

主配線材料となる銅または貴金属の薄膜(9)とバリア層(6,7)との間に金属薄膜(8)を介した構造の配線を備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 D