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J-GLOBAL ID：200903080960604643

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  渡辺 淳 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001346870
Publication number (International publication number)：2002220418
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位と、カルボン酸の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位とを含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、0<d+e<5、0<g+h<5、a、bは0又は正数であるが、同時に0にはならない。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には190nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、カルボン酸の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。0≦d<5、0≦e≦5、0<f<5、0≦g≦5、0≦h≦5の範囲であり、0<d+e<5、0<g+h<5である。a、bは0又は正数であるが、同時に0にはならない。)

IPC (7)：

C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027

FI (7)：

C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (37)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  4J100AB07P ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL62Q ,  4J100AM35Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA20Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 芳香族ビニリデン系共重合体および芳香族ビニリデン系共重合体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-075702   Applicant：三井化学株式会社, 本州化学工業株式会社
• ポリスチレン系高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-299178   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-017972   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-346911   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-346959   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-346933   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 橋かけポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330237   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
• 特開平2-147606
  
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-254106   Applicant：住友化学工業株式会社
• 多官能ビニルエーテル化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-220017   Applicant：住友化学工業株式会社
• 特開昭60-248713