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J-GLOBAL ID：200903080968226494
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993139737
Publication number (International publication number)：1994349831
Application date： Jun. 11, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】平滑な表面を有し、且つ、膜質の緻密な酸化ケイ素系ガラス膜を層間絶縁膜として形成する。【構成】有機シランガスと水蒸気または酸素ガスを含むプラズマ雰囲気で酸化ケイ素系ガラス膜を形成する工程と、フッ素を含むガスのプラズマ雰囲気で、酸化ケイ素系ガラス膜を緻密化する工程を交互に繰り返して所望の膜厚の緻密な膜質の層間絶縁膜を有する。
Claim (excerpt)：
有機シランガスと水蒸気または酸素ガスを含むプラズマ雰囲気から酸化ケイ素系ガラス膜を形成して下地基板を被覆する工程と、フッ素を含むガスのプラズマ雰囲気で前記酸化ケイ素系ガラス膜を緻密化する工程とを交互に繰り返して層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/31
