半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001256977
Publication number (International publication number)：2003086505
Application date： Aug. 27, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】システム・オン・ガラス等への適用に際して、TFTのトランジスタ特性を高レベルで均質化し、特に周辺回路領域において移動度に優れ高速駆動が可能なTFTを実現する。【解決手段】ガラス基板1上でa-Si膜2を線状(リボン状)(図1(a))、又は島状(アイランド状)(図1(b))にパターニングし、a-Si膜2の表面又はガラス基板1の裏面に対し、CWレーザ3から時間に対して連続的に出力するエネルギービームを矢印の方向へ照射走査して、a-Si膜2を結晶化する。

Claim (excerpt)：

基板上に、各々複数の薄膜トランジスタを有する画素領域及びその周辺回路領域が設けられてなる半導体装置の製造方法であって、前記画素領域及び前記周辺回路領域のうち、少なくとも前記周辺回路領域に形成された半導体薄膜を時間に対して連続的にエネルギーを出力するエネルギービームにより結晶化し、前記各薄膜トランジスタの動作半導体薄膜とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 , G09F 9/30 338 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 C , G09F 9/30 338 , H01L 21/268 J , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 612 B

F-Term (100)：

2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 5C094AA13 , 5C094AA21 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA48 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EB02 , 5C094FA01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA01 , 5C094JA20 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA04 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BA13 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB02 , 5F052BB04 , 5F052CA04 , 5F052CA09 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA07 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052FA02 , 5F052FA07 , 5F052FA22 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG24 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5G435AA00 , 5G435EE33 , 5G435EE37 , 5G435HH12 , 5G435HH13 , 5G435HH14 , 5G435KK05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

固体レーザ装置、及びこの固体レーザ装置を用いたレーザエッチング装置,レーザマーキング装置,血液成分測定装置、並びにレーザアニール装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-063142 Applicant：株式会社日立製作所
レーザ加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-265963 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-290924

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