Pat
J-GLOBAL ID：200903080989188797

エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法

Inventor：
西川 龍司

About 西川 龍司


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 須藤 克彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002057166
Publication number (International publication number)：2003257662
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】EL素子の実効的な発光面積を増大させ、高輝度を実現する。また、EL素子の発光輝度を維持しながらその寿命を長くする。【解決手段】平坦化絶縁膜22の表面に凹凸を形成する。陽極22の表面は平坦化絶縁膜22の凹凸を反映して凹凸部が形成される。ホール輸送層23、発光層24、電子輸送層25及び陰極26は、陽極22上に真空蒸着法により形成される。ホール輸送層23、発光層24、電子輸送層25及び陰極26の表面には陽極22の凹凸形状が反映される結果、夫々凹凸部が形成される。これにより、発光層24の実効的な発光面積S1は従来例のS0に比して増大する。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、この絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのソース又はドレインと接続された陽極と、前記陽極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された陰極と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置において、少なくとも前記発光層の表面に凹凸部が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (2)：
H05B 33/14 ,  H05B 33/10
FI (2)：
H05B 33/14 A ,  H05B 33/10
F-Term (4)：
3K007AB02 ,  3K007AB11 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM