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J-GLOBAL ID：200903080997796216

多結晶シリコン鋳塊の製造方法

Inventor： 湯下 憲吉 ,  馬場 裕幸 ,  阪口 泰彦
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087569
Publication number (International publication number)：1993254817
Application date： Mar. 12, 1992
Publication date： Oct. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 原料純度の低いシリコンを用いて、安価に太陽電池のシリコン基板用シリコン鋳塊を製造する方法を提供する。【構成】 溶融シリコンを保持した鋳型内において、鋳型下部から上方へシリコンを一方向に凝固させる際に、鋳型側面あるいは上面に設置したコイルによって発生する磁界により鋳型内のシリコン溶解部を攪拌することを特徴とする多結晶シリコン鋳塊の製造方法。

Claim (excerpt)：

溶融シリコンを保持した鋳型内において、鋳型下部から上方へシリコンを一方向に凝固させる際に、鋳型側面あるいは上面に設置した磁界を加えるコイルによって発生する磁界により、鋳型内のシリコン溶解部を攪拌することを特徴とする多結晶シリコン鋳塊の製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-056311
  
• 特開昭63-210092
  
• 特開平1-126293