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J-GLOBAL ID：200903081000333412

アルミニウムを主成分とする金属薄膜のエツチング方法及び薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 筒 博司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991243090
Publication number (International publication number)：1993082505
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、多層配線を持つ半導体装置のAlからなる下層配線にテーパーをつけることにより、上層配線の断線や上層配線との短絡を防止する。【構成】 アルミニウムを主成分とする金属薄膜を弗酸と概10%以上の硝酸を少なくとも含む溶液を用いてエッチングする。

Claim (excerpt)：

アルミニウムを主成分とする金属薄膜のエッチング方法において、前記金属薄膜を弗酸と概10%以上の硝酸を少なくとも含む溶液を用いてエッチングすることを特徴とするアルミニウムを主成分とする金属薄膜のエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-125633
  
• 特開昭61-052376
  
• 特開平2-002175