Pat
J-GLOBAL ID:200903081002191178
半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに表示装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
,
,
,
,
Agent (7):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007173283
Publication number (International publication number):2008072087
Application date: Jun. 29, 2007
Publication date: Mar. 27, 2008
Summary:
【課題】従来の半導体装置よりもさらに薄型、好ましくはトータルの厚さが30μm程度以下であり、かつ湾曲させたり、折り曲げたりしても特性が変化せず、もとの形状を回復することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】高分子からなる厚さ20μm以下、好ましくは10μm以下の支持層203と、前記支持層203上に形成された素子とを含むことを特徴とする半導体装置、ならびに、基板201上にアルミニウムから構成される剥離層202、高分子からなる支持層203、素子を順に形成し、アルカリ溶液を用いて該剥離層202を溶解して該基板201を剥離する半導体装置の製造方法、および基板201上に高分子からなる支持層203、素子を順に形成し、機械的力を加えることにより該基板201を剥離する半導体装置の製造方法である。【選択図】図2
Claim (excerpt):
高分子からなる厚さ20μm以下の支持層と、前記支持層上に形成された素子とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (7):
H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 51/05
, H01L 51/50
, H05B 33/10
, G02F 1/136
, G09F 9/30
FI (8):
H01L29/78 626C
, H01L21/28 Z
, H01L21/28 301B
, H01L29/28 100A
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, G02F1/1368
, G09F9/30 310
F-Term (72):
2H092JA24
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092MA04
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 2H092MA15
, 2H092NA25
, 2H092PA01
, 3K107AA01
, 3K107AA03
, 3K107BB01
, 3K107CC43
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107EE46
, 3K107FF09
, 3K107FF15
, 3K107GG24
, 3K107GG28
, 4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB36
, 4M104DD51
, 4M104DD68
, 4M104EE03
, 4M104EE06
, 4M104EE18
, 4M104FF13
, 4M104GG02
, 4M104GG05
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104GG16
, 4M104GG19
, 5C094AA54
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094DA06
, 5C094DA13
, 5C094EB10
, 5C094GB10
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD06
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE14
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF27
, 5F110FF36
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110NN01
, 5F110NN27
, 5F110QQ14
, 5F110QQ30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-316613
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
Cited by examiner (6)
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-216697
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
能動素子並びにそれを有するEL表示素子、液晶表示素子及び演算素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-190877
Applicant:株式会社リコー
-
エレクトロクロミック素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-023884
Applicant:株式会社ニコン
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