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J-GLOBAL ID：200903081003391502
電界効果トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991315900
Publication number (International publication number)：1993211170
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：
【要約】【目的】金属側壁からなる微細ゲート電極において、ゲート長を長くすることなくゲート直列抵抗を低減し、高周波特性の向上を図る。【構成】絶縁膜3および第1の金属膜4を堆積したのち選択エッチングする。つぎに第2の金属膜5を堆積してからエッチバックして側壁6を形成する。つぎにホトレジスト10をマスクとして第1の金属膜4および絶縁膜3をエッチングすることにより、側壁6に第1の金属膜4からなる片持梁を付加したゲート電極7が完成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一主面上に絶縁膜および第1の金属膜を順次成長する工程と、レジストをマスクとして前記第1の金属膜および前記絶縁膜を異方性エッチングする工程と、全面に第2の金属膜を成長したのちエッチバックして前記第2の金属膜からなる側壁を残す工程と、前記側壁および前記第2の金属膜の一部を覆うレジストをマスクとして前記第1の金属膜を異方性エッチングして、前記半導体基板に接して支柱部分となる前記第1の金属膜と片持梁部分となる前記第2の金属膜とからなるゲート電極を形成する工程とを含む電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
