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J-GLOBAL ID：200903081021865082

単結晶の熱処理方法

Inventor：
志村 直明

About 志村 直明

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倉田 靖

About 倉田 靖

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蔵重 和央

About 蔵重 和央

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碓井 達也

About 碓井 達也


Applicant, Patent owner：
日立化成工業株式会社

About 日立化成工業株式会社


Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  赤堀 龍吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005253885
Publication number (International publication number)：2007001850
Application date： Sep. 01, 2005
Publication date： Jan. 11, 2007
Summary：
【課題】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にLnとしてイオン半径がTbよりも小さいDy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及びScからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を用いた単結晶であっても、良好な蛍光特性が得られる単結晶の熱処理方法を提供する。【解決手段】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素を含む雰囲気中で加熱する工程を有する単結晶の熱処理方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)又は(2)で表されるセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を、酸素を含む雰囲気中で加熱する工程を有する、単結晶の熱処理方法。 Y2-(x+y)LnxCeySiO5 (1) [式(1)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、xは0〜2の数値を示し、yは0超0.2以下の数値を示す。] Gd2-(z+w)LnzCewSiO5 (2) [式(2)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、zは0超2以下の数値を示し、wは0超0.2以下の数値を示す。]
IPC (6)：
C30B 29/34 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/202 ,  C30B 33/02 ,  C09K 11/79 ,  C09K 11/08
FI (6)：
C30B29/34 Z ,  G01T1/20 B ,  G01T1/202 ,  C30B33/02 ,  C09K11/79 ,  C09K11/08 B
F-Term (25)：
2G088EE02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF07 ,  2G088GG10 ,  2G088JJ37 ,  4G077AA02 ,  4G077BD15 ,  4G077FE03 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CA08 ,  4H001CF02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4H001XA21 ,  4H001XA39 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA66 ,  4H001XA67 ,  4H001XA68 ,  4H001XA69 ,  4H001XA70 ,  4H001YA58
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 特許第2852944号公報
  • 米国特許第4958080号明細書
  • 特公平7-78215号公報
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Cited by examiner (4)
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