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J-GLOBAL ID：200903081035448093

大規模集積回路(LSI)チップの冷却方法

Inventor： 青木 武
Applicant, Patent owner： 青木 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998048522
Publication number (International publication number)：1999214598
Application date： Jan. 23, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、LSIチップにペルチェ素子を直接設けて冷却効率を高めることを目的とする。【構成】 LSIチップ4において、ペルチェ素子(P型)7、金属1、ペルチェ素子(N型)2を設けて、LSIチップ4を直接冷却する方法である。

Claim (excerpt)：

LSIチップ4において、ペルチェ素子(P型)7、金属1、ペルチェ素子(N型)2を設けて、LSIチップ4を直接冷却する方法。

IPC (2)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/32

FI (2)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/32 A