レベルシフタ回路およびそれを用いた半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮井暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998345261
Publication number (International publication number)：2000174610
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】電源電位を変化させた場合の動作速度の低下と貫通電流の増加を抑えることができるレベルシフタ回路を実現する。【解決手段】 PチャネルMOSトランジスタ31,32と電源線41との間にPチャネルMOSトランジスタ34を挿入し、電源線41の電位(VDDH)の変化に応じてPチャネルMOSトランジスタ34のゲート電位を制御する制御回路81を設けたことにより、電源線41の電位を上げた場合でも、PチャネルMOSトランジスタ31,32の電流駆動能力とNチャネルMOSトランジスタ21,22の電流駆動能力の引き合いをより早く完了させることができ、動作速度の低下と貫通電流の増加を抑えることができる。

Claim (excerpt)：

第1の電源電位と前記第1の電源電位より高い第2の電源電位との差を振幅とする入力信号を、前記第1の電源電位と前記第2の電源電位より高い第3の電源電位との差を振幅とする出力信号に変換するレベルシフタ回路であって、ゲートに前記入力信号の非反転信号を入力し、ソースを前記第1の電源電位に接続した第1のNチャネルMOSトランジスタと、ゲートに前記入力信号の反転信号を入力し、ソースを前記第1の電源電位に接続した第2のNチャネルMOSトランジスタと、ゲートを前記第2のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続し、ドレインを前記第1のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続した第1のPチャネルMOSトランジスタと、ゲートを前記第1のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続し、ドレインを前記第2のNチャネルMOSトランジスタのドレインを接続した第2のPチャネルMOSトランジスタと、ソースを前記第3の電源電位に接続し、ドレインを前記第1と第2のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続した第3のPチャネルMOSトランジスタと、前記第1のPチャネルMOSトランジスタのドレイン電位を反転させて前記出力信号として取り出すインバータと、前記第3のPチャネルMOSトランジスタのゲート電位を前記第3の電源電位の変化に応じて制御する制御回路とを設けたことを特徴とするレベルシフタ回路。

F-Term (12)：

5J056AA00 , 5J056BB19 , 5J056BB55 , 5J056CC00 , 5J056CC02 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056EE07 , 5J056FF08 , 5J056HH03 , 5J056KK00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体論理回路および回路レイアウト構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-237760 Applicant：松下電器産業株式会社
レベルシフト回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296900 Applicant：日本電気株式会社
出力バッファ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-116493 Applicant：日本電気株式会社

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