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J-GLOBAL ID：200903081039640169

混晶半導体単結晶の製造方法

Inventor： 西澤 潤一 ,  澤藤 裕
Applicant, Patent owner： 財団法人半導体研究振興会 ,  東北特殊鋼株式会社
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995107686
Publication number (International publication number)：1996301686
Application date： May. 01, 1995
Publication date： Nov. 19, 1996
Summary：

【要約】【構成】 原料融液を合成した後に引続きその原料融液を一端より固化させることにより製造した混晶多結晶体を融帯の移動により単結晶化する。【効果】 混晶比分布が制約された混晶多結晶体から、容易、安価に単結晶を成長させることからできる。

Claim (excerpt)：

混晶半導体単結晶の製造方法であって、原料融液を合成した後引き続きその原料融液を一端より固化させることにより製造した混晶多結晶体を融帯の移動により単結晶化する際に、融帯の移動の方向を、混晶多結晶体製造時の固化終了側から固化開始側への方向とすることを特徴とする混晶半導体単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 13/00 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 13/00 ,  C30B 29/40 501 D ,  H01L 21/208 M