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J-GLOBAL ID：200903081042906269

塗布絶縁膜の平坦化方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995028527
Publication number (International publication number)：1996222550
Application date： Feb. 16, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 SOG等の塗布絶縁膜の基板周縁部の肉厚部の、簡便かつ確実な除去方法を提供する。【構成】 塗布絶縁膜6上に有機高分子層7を形成し、エッジリンスにより基板周縁部の有機高分子層7を除去する。この有機高分子層7をマスクに、塗布絶縁膜6をエッチング除去する。この段階で有機高分子層7と塗布絶縁膜6の等速エッチバックを施してもよい。また有機高分子層を全面的に除去した後に、塗布絶縁膜の無機化や緻密化の熱処理を施してもよい。【効果】 有機高分子層の周縁部の除去はエッジリンスを採用するので、リソグラフィを用いることなく、極めて簡便である。塗布絶縁膜の周縁肉厚部はエッチングにより除去するので、確実に除去できる。

Claim (excerpt)：

基板上に塗布絶縁膜を回転塗布し、前記基板周縁部の該塗布絶縁膜を選択的に除去する塗布絶縁膜の平坦化方法であって、該塗布絶縁膜上全面に有機高分子層を形成する工程と、前記基板周縁部の前記有機高分子層をエッジリンスにより選択的に除去する工程と、前記有機高分子層から露出する該塗布絶縁膜を選択的にエッチング除去する工程をこの順に施すことを特徴とする、塗布絶縁膜の平坦化方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 Q