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J-GLOBAL ID：200903081061323215

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 山田 雅人 ,  川崎 真
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243232
Publication number (International publication number)：1997092877
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 従来法と同程度の容易さで、外部取り出し効率の高い半導体発光素子を得ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体基板の表面を、該化合物半導体基板の材料とは異なる材料を溶解させた溶液(液相エピタキシャル工程において用いる溶液)により溶解させて、該化合物半導体基板の表面を多数の凹部2が形成された面とし、該化合物半導体基板の凹部2が形成された面上に、半導体発光素子を構成する複合エピタキシャル層3を、液相エピタキシャル成長法により成長させて該化合物半導体基板と該複合エピタキシャル層との積層体4を形成する。該積層体から該化合物半導体基板を選択的にエッチング除去して、該積層体を、該複合エピタキシャル層の該化合物半導体基板が除去された面に該化合物半導体基板の表面に形成された凹部2に対応した凸部5が形成された複合エピタキシャル層体6とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板の表面を、該化合物半導体基板の材料とは異なる材料を溶解させた溶液(液相エピタキシャル工程において用いる溶液)により溶解させて、該化合物半導体基板の表面を多数の凹部が形成された面とする工程と、該化合物半導体基板の凹部が形成された面上に、半導体発光素子を構成する複合エピタキシャル層を、液相エピタキシャル成長法により成長して該化合物半導体基板と該複合エピタキシャル層との積層体を形成する工程と、該積層体から該化合物半導体基板を選択的にエッチング除去して、該積層体を、該複合エピタキシャル層の該化合物半導体基板が除去された面に該化合物半導体基板の表面に形成された凹部に対応した凸部が形成された複合エピタキシャル層体とする工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。