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J-GLOBAL ID：200903081067381055
2次電子増倍デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272800
Publication number (International publication number)：1993110050
Application date： Oct. 21, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 構造が簡単であるにも拘らず高い2次電子放射ゲインを持つ2次電子放射面およびそれを用いた2次電子増倍デバイスを提供することを目的とする。【構成】 GaAs半導体2-1の一方の表面には、Alを用いてメッシュ状にパターニングした電極3-1が設けられており、半導体陽極を構成している。半導体2-1のもう一面には半導体陰極3-2が形成されている。又、半導体陽極3-1側の表面には一種或いは複数種のCsやCsO等のアルカリ金属或いはアルカリ酸化物2-3が吸着されており、表面に於ける電子親和力の低下を図っている。電極3-1,3-2間に電源4-1により電界を印加し、半導体2-1は厚み方向に0.5kV/cm以上の電界が得られている。この時、半導体2-1内を流れる電子の散乱緩和時間は大幅に長くなることが確認されている。
Claim (excerpt)：
半絶縁性III -V族化合物半導体を構成材料とし、これに一対の電極を設け、前記半導体内部の厚み方向に2.5kV/cm以下の電界を印加する手段を有し、この半導体に1次電子を照射する手段と、発生する2次電子を前記半導体の陽極側空間において捕集する手段とを備えることを特徴とする2次電子増倍デバイス。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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