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J-GLOBAL ID：200903081068036424

金属導線の間に空隙を備えた半導体装置とその製造法

Inventor： ロバート エィチ.ヘイブマン ,  シン - プー ジェング
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995128488
Publication number (International publication number)：1996083839
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 回路の導線の間の静電容量的結合が大幅に小さい半導体装置とその製造法を提供する。【構成】 基板の上に、金属層が沈着される。前記金属層がエッチングされて、金属導線が作成される。前記金属導線の間に、除去可能な固体層が沈着される。前記除去可能な固体層と前記導線との上に、多孔質誘電体層が沈着される。そして前記多孔質誘電体層の下の前記金属導線の間に空隙を作成するために、前記除去可能な固体層が前記多孔質誘電体層を通して除去される。前記空隙は小さな誘電率を有し、その結果、前記金属導線の側壁静電容量値が小さくなる。

Claim (excerpt)：

基板の上に金属層を沈着する段階と、頂部を有する金属導線を作成するために前記金属層を予め定められたパターンにエッチングする段階と、前記金属導線の間に除去可能な固体層を沈着する段階と、前記除去可能な固体層と前記金属導線との上に多孔質誘電体層を沈着する段階と、前記多孔質誘電体層の下の前記金属導線の間に空隙を作成するために、前記多孔質誘電体層を通して前記除去可能な固体層を除去する段階と、を有する、半導体装置の金属導線の間に空隙を作成する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-184282   Applicant：日本電気株式会社