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J-GLOBAL ID：200903081073632230
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995187085
Publication number (International publication number)：1997036123
Application date： Jul. 24, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【目的】 表面近傍のバルク欠陥の密度を低減したウェーハが雰囲気中の汚染不純物によって汚染され易いという不具合を解決する。【構成】 ウェーハ14の素子形成領域の下部領域と過剰BMD層15との間に汚染不純物を取込む過剰欠陥層16を形成する。【効果】 新たな欠陥層16がゲッタリング効果を発揮してウェーハに浸入した汚染不純物を取込む。
Claim (excerpt)：
シリコン基板に熱処理を加えて外方拡散により表面近傍の酸素を減少させ、酸素の析出核による欠陥を減少させる熱処理過程と、前記熱処理過程を経たシリコン基板に対して不活性な不純物を注入し、シリコン基板内に残存する内部の欠陥層と前記シリコン基板表面の素子が形成されるべき領域との間に新たな欠陥層を形成する欠陥層形成過程と、前記シリコン基板表面に半導体素子を形成する過程と、を含む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/322 J
, H01L 21/322 Y
