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J-GLOBAL ID：200903081090651779
SiO2 系セラミック被膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236881
Publication number (International publication number)：1996099061
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 常温で緻密なSiO2 系セラミック被膜を形成する方法の提供。【構成】 本発明の方法は、基板上に分子内にSi-H結合及び/もしくはN-H結合を有するポリシラザンの膜を形成し、その膜にアルコキシシラン及び水を含む混合溶液を接触させることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に分子内にSi-H結合及び/もしくはN-H結合を有するポリシラザンの膜を形成し、その膜にアルコキシシラン及び水を含む混合溶液を接触させることを特徴とする、SiO2 系セラミック被膜の形成方法。
IPC (3)：
B05D 7/24 302
, C04B 41/83
, C09D183/06 LRM
