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J-GLOBAL ID：200903081096986268

非導電材料内でのカチオン-電子の侵入及び衝突のためのシステム

Inventor：
モファカミ,アラシュ

About モファカミ,アラシュ


Applicant, Patent owner：
ナッサール,タレク

About ナッサール,タレク

, 
レベ,エリク

About レベ,エリク

, 
モファカミ,アラシュ

About モファカミ,アラシュ


Agent (1)： 松井 光夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007516000
Publication number (International publication number)：2008502568
Application date： Jun. 15, 2005
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：
本発明は、低エネルギでH+イオンと電子との衝突が生じるのを促進するために、H+イオンと電子を非導電性材料(2)内に侵入する装置に関する。具体的には、本発明は、水素含有化合物(3)及び少なくとも1個のカソード(4)から出る少なくとも1個のH+イオンと少なくとも1個の電子を衝突させる装置に関し、その装置は、前記水素含有化合物(3)から前記H+イオンを引き抜き、かつ、前記H+イオンを前記カソード(4)に向かって移行させるための少なくとも1つの電磁界発生器、及び、前記水素含有化合物の少なくとも一部分と前記カソード(4)との間に配置された少なくとも1つの非導電性材料、と含み、前記衝突は前記非導電性材料内で起こることを特徴とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
水素含有化合物及び少なくとも1個のカソードから出る少なくとも1個のH+イオンと少なくとも1個の電子を衝突させる装置であって、前記装置は、 前記水素含有化合物から前記H+イオンを引き抜き、前記H+イオンを前記カソードに向かって移行させるための少なくとも1つの電磁界発生器と、及び、 前記水素含有化合物の少なくとも一部分と前記カソードとの間に配置された少なくとも1つの非導電性材料とを含み、 前記衝突は前記非導電性材料内で起こる、ことを特徴とする装置。
IPC (3)：
C01B 3/00 ,  B01J 19/08 ,  H01M 8/06
FI (4)：
C01B3/00 A ,  B01J19/08 A ,  H01M8/06 R ,  C01B3/00 B
F-Term (14)：
4G075AA03 ,  4G075AA13 ,  4G075AA22 ,  4G075BC10 ,  4G075CA14 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4G140AA04 ,  4G140AA11 ,  4G140AA42 ,  5H027AA02 ,  5H027BA00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第4,466,820号
Cited by examiner (3)

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