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J-GLOBAL ID：200903081102393142

イオン注入制御装置

Inventor： 熊崎 裕教
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992023757
Publication number (International publication number)：1993225944
Application date： Feb. 10, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【構成】 コントローラ2は、ビーム電流測定装置8から得られるビーム電流瞬時値iB のデータから、一定のサンプリング時間毎のビーム電流瞬時値iB の偏差値σ(iB ) と、移動平均値IB とを算出し、両者を用いた評価関数値V=IB(1-kσ(iB ) /100)を求め、求めた評価関数値Vに基づいて、マスサーチ、マス追従、およびソースマグネット電流調整を実施する。【効果】 ビーム電流の平均のみならず、ビームの安定性(ビーム電流のふらつきの度合い)をも含めた制御が行われ、フルオートセットアップ制御の精度を向上させることができるので、オペレータによるセットアップ相当の自動セットアップが可能である。

Claim (excerpt)：

ビーム電流測定手段により測定されたイオンビームのビーム電流瞬時値から評価関数値を求める演算手段と、上記評価関数値に基づいてイオン注入装置を制御し、各種パラメータを与えられた注入条件に対して最適値に調整する調整手段とを備えているイオン注入制御装置において、上記演算手段は、任意のサンプリング時間毎に上記ビーム電流瞬時値の偏差値と、移動平均値とを算出し、これら偏差値と移動平均値とから定まる上記評価関数値を求めることを特徴とするイオン注入制御装置。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/265