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J-GLOBAL ID:200903081105120481

光導波路の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上代 哲司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996114502
Publication number (International publication number):1997297237
Application date: May. 09, 1996
Publication date: Nov. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 従来の製造方法は工程数が多いために製造時間長くなり、その結果、コスト高となる。一方、石英基板を用いると基板の表面近傍をクラッドとしての機能を持たせることが出来るので、基板上のバッファ層を省くことが出来る。しかしながら、石英基板上に直接コア層を形成したのでは基板の表面近傍に存在する不純物によって導波損失が増大する問題があった。【解決手段】 基板10上に光導波路を形成するに先立ち、CF4ガスを用いたドライエッチングによって基板10の表面を1〜50μm除去し、かつドライエッチングのプラズマ電子密度はICP法によって1010/cm3以上で行なう方法である。
Claim (excerpt):
石英基板上に光導波路を製造する方法であって、石英基板の表面を除去する第1工程と、ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、除去された基板の表面上に、コア用の第1ガラス微粒子層を堆積させる第2工程と、前記第1ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第3工程と、透明ガラス化した前記第1ガラス微粒子層を所定のコア形状にパターニングする第4工程と、パターニングされた前記第1ガラス微粒子層上に、オーバクラッド用の第2ガラス微粒子層を堆積させる第5工程と、堆積された前記第2ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第6工程とを備え、前記第1工程は、CF4ガスを用いたドライエッチングによって基板の表面を1〜50μm除去し、かつドライエッチングのプラズマ電子密度はICP法によって1010/cm3以上であることを特徴とする光導波路の製造方法。

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