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J-GLOBAL ID：200903081113127193

オゾン酸化法

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991182129
Publication number (International publication number)：1993029307
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 欠陥密度や界面準位密度が小にて、且つ高純度の酸化膜を高速で形成形成する。【構成】 純水にオゾンを含有させ、該オゾン含有純水に被酸化物を浸漬または曝す。

Claim (excerpt)：

容器内には純水が有り、該純水中にはオゾン ガスが導入されると共に、該オゾン含有純水にはシリコン ウエーハ等の半導体等を浸漬または曝して酸化する事を特徴とするオゾン酸化法。