Pat

J-GLOBAL ID：200903081130662000

プロセス評価装置および評価方法

Inventor： 横川 賢悦 ,  二宮 健 ,  鈴木 敬三
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991154367
Publication number (International publication number)：1993002060
Application date： Jun. 26, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】真空中で処理された、あるいは処理中の被測定試料を大気にさらすことなく高真空状態で磁気共鳴現象の測定を行なう。【構成】他の幾つかの真空室1,2,3と連続的に真空排気されたESR分析室4をゲートバルブ5,15,16を介して接続し、それらの間を被測定試料が自由に搬送できるよう搬送系11,12,13を付加した。【効果】上記の装置構成により、大気にさらすことなく反応過程または反応の痕跡を評価することが可能となった。

Claim (excerpt)：

エネルギーを分離させたスピン系に、その分離幅もしくは分離幅近傍のエネルギーに相当する電磁波を供給する機構を有する磁気共鳴現象の測定手段において、測定手段全体もしくは該測定手段の一部を真空排気可能とし、他の幾つかの真空室と接続可能な手段を有することを特徴とするプロセス評価装置。

IPC (3)：

G01R 33/60 ,  G01R 33/30 ,  G01R 33/28

FI (3)：

G01N 24/10 R ,  G01N 24/10 E ,  G01N 24/10 A