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J-GLOBAL ID：200903081132777735

半導体圧力測定装置及びその製造方法

Inventor： 渡辺 哲也
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 渡辺 正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995268394
Publication number (International publication number)：1997113390
Application date： Oct. 17, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 単結晶シリコンで構成された精度、感度、過大圧特性が良好な半導体圧力測定装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられ該ダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第1単結晶シリコン基板の一面に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、該ポリシリコン層に設けられた空隙室と、ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられ該ポリシリコン層の前記空隙室が設けられている部分とダイアフラムを形成する第2単結晶シリコン基板とが設けられたものである。

Claim (excerpt)：

ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられ該ダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第1単結晶シリコン基板と、該第1単結晶シリコン基板の一面に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、該ポリシリコン層に設けられた空隙室と、前記ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられ該ポリシリコン層の前記空隙室が設けられている部分とダイアフラムを形成する第2単結晶シリコン基板と、該第2単結晶シリコン基板の他面側に設けられた歪検出素子と、前記第1単結晶シリコン基板の他面あるいは前記第2単結晶シリコン基板の他面から前記空隙室に連通され該空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置。

IPC (3)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 19/06 102 ,  H01L 29/84

FI (3)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 19/06 102 ,  H01L 29/84 B