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J-GLOBAL ID：200903081159180307
化合物半導体装置とその製法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992223840
Publication number (International publication number)：1994077127
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【構成】選択成長によって得られるエピタキシャル結晶成長層の膜厚はパターンのサイズやパターンの粗密によって異なった値になる原理を用い、所望の成長膜厚を得るために基本セルの中で選択成長率によって膜厚を決め、これを各素子の結晶領域として用いている。【効果】同一ウエハ内に結晶膜厚の異なる領域を任意に作ることができるので、特性の異なる素子を一回の製作で得ることが可能になり、しきい電圧の異なるFETアレイやシート抵抗の異なる抵抗素子アレイを配置しておき、設計値に一番近い素子だけを選別して用い100%の歩留まりが達成できるようになった。
Claim (excerpt)：
少なくとも一回のエピタキシャル成長によって同一ウエハ内に主として結晶膜厚の異なる領域を任意に設けてなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01L 21/338
, H01L 29/812
