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J-GLOBAL ID:200903081165097322

高温超電導体素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000368368
Publication number (International publication number):2001223399
Application date: Dec. 04, 2000
Publication date: Aug. 17, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高温超電導体素子の冷却中に発生する熱機械的応力を減少させる。【解決手段】 超電導体(1)と電気的バイパス(2)の間にポリマー複合材ベースの電気伝導性の移行層(3)が設けられた高温超電導体素子の冷却中に移行層に熱機械的応力が発生する。これを減少させ、クラックの形成を防止するため、移行層(3)の熱膨張係数を小さくする。これは、SiO2、Al2O3、又はAlN等好適なフィラー材料(32)をポリマー複合材料に添加することにより行われる。
Claim (excerpt):
高温超電導体(1)と、電気伝導性の移行層(3)を通って前記高温超電導体(1)に電気的接触する電気的バイパス(2)とを有する高温超電導体素子において、前記移行層(3)は、ポリマーマトリックス(30)と、導電性の第1フィラー材料(31)とを有するポリマー複合材料からなり、前記移行層(3)の熱膨張係数を減少させるため、第1フィラー材料(31)とは異なる手段(32)を備えることを特徴とする素子。
IPC (5):
H01L 39/16 ZAA ,  C08K 3/00 ,  C08K 7/02 ,  C08L 63/00 ,  C08L101/00
FI (5):
H01L 39/16 ZAA ,  C08K 3/00 ,  C08K 7/02 ,  C08L 63/00 C ,  C08L101/00

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