Pat
J-GLOBAL ID:200903081165097322
高温超電導体素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000368368
Publication number (International publication number):2001223399
Application date: Dec. 04, 2000
Publication date: Aug. 17, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高温超電導体素子の冷却中に発生する熱機械的応力を減少させる。【解決手段】 超電導体(1)と電気的バイパス(2)の間にポリマー複合材ベースの電気伝導性の移行層(3)が設けられた高温超電導体素子の冷却中に、移行層に熱機械的応力が発生する。これを減少させ、クラックの形成を防止するため、移行層(3)の熱膨張係数を小さくする。これは、SiO2、Al2O3、又はAlN等好適なフィラー材料(32)をポリマー複合材料に添加することにより行われる。
Claim (excerpt):
高温超電導体(1)と、電気伝導性の移行層(3)を通って前記高温超電導体(1)に電気的接触する電気的バイパス(2)とを有する高温超電導体素子において、前記移行層(3)は、ポリマーマトリックス(30)と、導電性の第1フィラー材料(31)とを有するポリマー複合材料からなり、前記移行層(3)の熱膨張係数を減少させるため、第1フィラー材料(31)とは異なる手段(32)を備えることを特徴とする素子。
IPC (5):
H01L 39/16 ZAA
, C08K 3/00
, C08K 7/02
, C08L 63/00
, C08L101/00
FI (5):
H01L 39/16 ZAA
, C08K 3/00
, C08K 7/02
, C08L 63/00 C
, C08L101/00
Return to Previous Page