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J-GLOBAL ID：200903081168608468

高周波半導体集積回路装置

Inventor： 梅本 哲也 ,  佐藤 文雄
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050353
Publication number (International publication number)：1994267745
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高周波半導体集積回路装置における高周波素子の整合回路部に用いられるスパイラルインダクタに流せる電流量の制限を緩和する。【構成】 スパイラルインダクタを構成している線路が交差する部分で、半導体基板1の溝に導電体3を埋め込む。線路2と溝に埋め込んだ導電体3とを立体交差させる。【効果】 従来用いていたエアブリッジの代わりに、半導体基板1に埋め込んだ導電体3を用いているので、導電体3の埋め込み量を調整し、導電体3の断面積を変えることにより電流量の制限を緩和することができる。

Claim (excerpt)：

一方主面に溝を有する基板と、前記基板上に形成された線路を有するスパイラルインダクタとを備え、前記線路の一部が前記溝内に配設され、前記基板の前記一方主面より下に形成されていることを特徴とする高周波半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01F 17/00 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 27/04