薄膜状半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998262315
Publication number (International publication number)：1999154647
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】特性・信頼性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体装置を得る。【解決手段】基板上に、窒化アルミニウムを主成分とする第1の被膜を形成する工程と、前記第1の被膜上に直接もしくは間接にシリコンを主成分とするアモルファスの第2の被膜を形成する工程と、前記第2の被膜を結晶化させた後、レーザーアニール、ランプアニール、もしくは同等な強光照射による光アニールをおこなう工程とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、窒化アルミニウムを主成分とする第1の被膜を形成する工程と、前記第1の被膜上に直接もしくは間接にシリコンを主成分とするアモルファスの第2の被膜を形成する工程と、前記第2の被膜を結晶化させた後、レーザーアニール、ランプアニール、もしくは同等な強光照射による光アニールをおこなう工程とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-192466
特開平2-140915
特開昭61-256663

Show all

Return to Previous Page