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J-GLOBAL ID：200903081191909637

液晶素子

Inventor： 八島 秀夫 ,  白根 浩朗
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 菊地 精一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991182906
Publication number (International publication number)：1993005889
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 液晶素子の構成要素に悪影響を及ぼす恐れの強いドーパントを含有しない導電性高分子を用い、強誘電性液晶素子の高いコントラスト、メモリー性、高速応答性を阻害する残留電荷に基づくトラブルの除去された液晶素子。【構成】 繰り返し単位がアルキルスルホン酸置換(チオフェン)化1、アルキルスルホン酸(アニリン)化2、またはオキシアルキルスルホン酸置換(フェニレンビニレン)化3である重合体を、少なくとも一方の電極上の配向用組成物膜の要素として用いた液晶素子。【化1】HtはNH,SまたはO;Rは炭素数1〜10の直鎖状または枝分れのある二価の炭化水素基またはエーテル結合を含む二価の炭化水素基;XはSO2を表す。nは5以上の数である。【化2】【化3】

Claim (excerpt)：

対向して設けられた一対の基板対向面に電極を有し、前記基板間に強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶素子において、少なくとも一方の電極上に繰り返し単位が化1、化2または化3で示される構造の自己ドープ型共役系導電性高分子を配向用組成物膜の要素として用いたことを特徴とする液晶素子。【化1】【化2】【化3】

IPC (3)：

G02F 1/1337 520 ,  C08G 61/02 LNF ,  C08G 61/12 LNJ