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J-GLOBAL ID:200903081203232891

無機固体電解質の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山野 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004259562
Publication number (International publication number):2005032731
Application date: Sep. 07, 2004
Publication date: Feb. 03, 2005
Summary:
【課題】リチウム金属と接触させてもケイ素の還元反応にともなう無機固体電解質の経時的変質が抑制される硫化物系の無機固体電解質の形成方法を提供する。【解決手段】無機固体電解質の形成方法であって、基材上に無機固体電解質薄膜を形成するために、基材を40°C以上180°C以下に加熱しながら、Li、PおよびSで実質的に構成されて、Siを含有していない無機固体電解質薄膜を形成する。または、40°C未満の基材温度でLi、PおよびSで実質的に構成されて、Siを含有していない無機固体電解質薄膜を形成した後、薄膜の形成された基材を40°C以上180°C以下に加熱する。【選択図】なし
Claim (excerpt):
基材上に無機固体電解質薄膜を形成する無機固体電解質の形成方法であって、 基材を40°C以上180°C以下に加熱しながら、Li、PおよびSで実質的に構成されて、Siを含有していない無機固体電解質薄膜を形成することを特徴とする無機固体電解質の形成方法。
IPC (3):
H01M4/04 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00
FI (3):
H01M4/04 A ,  C23C14/58 A ,  H01B13/00 Z
F-Term (39):
4K029AA02 ,  4K029BA01 ,  4K029BA64 ,  4K029BB02 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029GA01 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ06 ,  5H029AK03 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ13 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ25 ,  5H029EJ03 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ14 ,  5H050AA07 ,  5H050AA12 ,  5H050BA16 ,  5H050CA08 ,  5H050CB12 ,  5H050DA09 ,  5H050EA01 ,  5H050FA04 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050GA24 ,  5H050GA25 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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