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J-GLOBAL ID：200903081209436898

エッチング方法および半導体装置の製造方法

Inventor：
玉村 好司

About 玉村 好司

, 
山口 恭司

About 山口 恭司


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001029531
Publication number (International publication number)：2002231705
Application date： Feb. 06, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体層の加工をドライエッチングにより行うとエッチングダメージが残り素子特性を悪化させる原因となるため、素子特性を悪化させないウエットエッチングによる加工方法の実現を図る。【解決手段】 窒化物系化合物半導体層2にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域4を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域4を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体層にイオン注入を行って被エッチング領域を形成する工程と、前記被エッチング領域をウエットエッチングにより選択的に除去する工程とを備えたことを特徴とするエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/308 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343 610
FI (4)：
H01L 21/308 C ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 21/265 W ,  H01L 31/10 A
F-Term (18)：
5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD17 ,  5F043FF05 ,  5F043GG05 ,  5F049MA13 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049SS01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB03 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA15 ,  5F073DA16 ,  5F073DA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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