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J-GLOBAL ID：200903081212657315

レジストパターンの形成方法

Inventor： 宮田 修一 ,  及川 朗 ,  田中 裕之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 中島 洋治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992061933
Publication number (International publication number)：1993267150
Application date： Mar. 18, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ポジ型化学増幅レジストを用いたレジストパターンの形成方法に関し,レジスト表面の難溶化層を取り除くことができるようにして,キレの良いレジストパターンを実現する。【構成】 基板上にポジ型化学増幅レジストを塗布する。このポジ型化学増幅レジストの表面に,疎水性の透明皮膜を形成する。プリベークを施す。ポジ型化学増幅レジストに電離放射線を照射して,所定のパターンを露光する。PEB(ポスト・エクスポージャー・ベーク)を施す。疎水性の透明皮膜を除去する。ポジ型化学増幅レジストを現像して,所定のレジストパターンを形成する。疎水性の透明皮膜としては,シリコーンポリマーを用いることが好ましく,特に,PMSS(ポリメチルシルセスキオキサン)が望ましい。

Claim (excerpt)：

ポジ型化学増幅レジストを用いたレジストパターンの形成方法であって,基板上にポジ型化学増幅レジストを塗布する工程と,該ポジ型化学増幅レジストの表面に,疎水性の透明皮膜を形成する工程と,第1の加熱処理を施す工程と,前記ポジ型化学増幅レジストに電離放射線を照射して,所定のパターンを露光する工程と,第2の加熱処理を施す工程と,前記疎水性の透明皮膜を除去する工程と,前記ポジ型化学増幅レジストを現像して,所定のレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26

FI (2)：

H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-050224   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-221814