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J-GLOBAL ID：200903081214634460

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  矢野 振一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244499
Publication number (International publication number)：1994097572
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】II-VI族半導体レーザの特性、特に閾値電流の低減,室温連続発振及び高温動作を図って改善する。【構成】(100)面n型ZnSe基板1の上にClドープn型ZnSe光導波層2,Clドープn型ZnSzSe1-z歪導波層3,アンドープCdxZn1-xSe/ZnSz1Se1-z1多重量子構造活性層10(アンドープCdxZn1-xSe量子井戸層4層及びZnSz1Se1-z1量子障壁層4層),Nドープp型ZnSe光導波層5,Clドープn型ZnSe電流狭窄層6を順次分子線エピタキシー(MBE)法によりエピタキシャル成長させ、ホトリソグラフィ技術とエッチングにより、層6から層5に到るストライプ状メサを形成する。ホトレジストを除去して、MBE法によりNドープp型ZnSeコンタクト層7を埋込成長させ、p側電極AuZn及びn側電極Inを蒸着し、劈開スクライブして素子を作製する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、有機金属気相成長(MOCVD)法又は分子線エピタキシー(MBE)法により成長された禁制帯幅の大きな光導波層と禁制帯幅の小さい発光活性層からなるダブルヘテロ接合構造において、該発光活性層をCd<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>Se(0<x<1)圧縮歪層及び該光導波層をCd<SB>y</SB>Zn<SB>1-y</SB>Se(0≦y<x<1)層とし、該発光活性層よりも禁制帯幅の大きいZnS<SB>z</SB>Se<SB>1-z</SB>(0<z<1)歪導波層を該発光活性層の少なくとも片側に隣接して設けることを特徴とする半導体レーザ素子。